依結構區分，場效電晶體(field-effect
transistor，FET)可分為接面場效電晶體(junction field-effect transistor，JFET)及金氧半場效電晶體(metal-oxide-semiconductor
field-effect transistor，MOSFET)。
金氧半場效電晶體又可分為空乏型(depletion type)及增強型(enhancement type)。
而所有場效電晶體又可分為n通道及p通道兩種。
本文將只針對金氧半場效電晶體(MOSFET)作介紹。
FET和BJT的優缺點
FET為單載子(單極性)元件，BJT為雙載子(雙極性)元件。
n通道MOSFET為電子的流動；p通道MOSFET為電洞的流動；故為單載子元件。
BJT不論是npn或pnp都有電子及電洞的流動，故為雙載子元件。
FET為壓控電流源，BJT為流控電流源。
FET製造較簡單，面積比較小，適於IC製造。
MOSFET可以當作電阻或電容器使用。
FET具有高輸入阻抗及低雜訊功能。
閘極端
FET沒有起始電壓(offset voltage)，適合當成開關使用。
FET的熱穩定性較佳。
FET的增益與頻寬乘積較小。
FET的操作速率較慢。