空乏型 MOSFET

構造及電路符號

如圖(1)，空乏型NMOS的基體(substrate)為p型半導體，源極和汲極端為n型半導體。空乏型MOSFET在元件製造時即已產生實際的通道。

(a) NMOS的結構 (b) NMOS符號

(圖1) 空乏型NMOS的結構及符號

如圖(2)，空乏型PMOS的基體(substrate)為n型半導體，源極和汲極端為p型半導體。

(a) PMOS的結構 (b) PMOS符號

(圖2) 空乏型PMOS的結構及符號

動作原理

空乏型MOSFET有實際的通道，即使閘極電壓為零時，在通道就可產生電流。如圖(3a)所示。

如果對空乏型NMOS加上正的閘極電壓，則通道中的載子數目會增加。此種操作方式稱為增強模式，愈大，則愈大。

對空乏型NMOS加上負的閘極電壓，則通道中的載子數目會降低。如圖(3b)所示。此種操作方式稱為空乏模式，愈大，則愈小。

在(臨限電壓)時(空乏型NMOS的為負值，空乏型PMOS的為正值)，則，空乏型MOSFET進入截止區。

(a) (b)

(圖3) 空乏型NMOS的動作原理

圖(4)為空乏型NMOS的汲極特性曲線，當時，。增強模式下，愈大，則愈大。空乏模式下，愈大，則愈小。圖(5)為空乏型NMOS的轉移特性曲線。

(圖4) 空乏型NMOS的汲極特性曲線

(圖5) 空乏型NMOS的轉移特性曲線

[例題5]

在n通道空乏型MOSFET的閘極加上一負電壓，則通道寬度 (A)增加 (B)不變 (C)減小 (D)不一定

Answer：(C)減小

[例題6]

n通道空乏型MOSFET在正常工作時，欲使，則應在閘極加上(A)高正電壓 (B)高負電壓 (C)汲極電壓 (D)零電壓

Answer：(B)高負電壓