增強型
構造及電路符號
如圖(1)，增強型NMOS的基體(substrate)為p型半導體，源極和汲極端為n型半導體。未導通前，MOS並沒有實際的通道，通道是靠
來建立。
(a) NMOS的結構 (b) NMOS符號
(圖1) 增強型NMOS的結構及符號
如圖(2)，增強型PMOS的基體(substrate)為n型半導體，源極和汲極端為p型半導體。
(a) PMOS的結構 (b) PMOS符號
(圖2) 增強型PMOS的結構及符號
動作原理
從增強型NMOS的結構來看，金屬閘極(G)、二氧化矽及p型基體(substrate)相當於一個電容器。其中金屬閘極及p型基體相當於電容器的兩極，而二氧化矽相當於電容器的介電質。
在增強型NMOS的閘極加上一正電壓，此時在p型基體中靠近二氧化矽的地方會感應出負電荷(電子)，如圖(3a)所示。閘極上的正電壓增加，則感應出的電子數目也會增加，此區域稱為電子反轉層(inversion layer)，而反轉層也就是所謂的「通道」。
反轉層中電子數目的多寡由外加電壓決定(即
愈大，
愈大)。
同樣，在增強型PMOS的閘極加上一負電壓，此時在n型基體中靠近二氧化矽的地方會感應出正電荷(電洞)。閘極上的負電壓增加，則感應出的電洞數目也會增加，此區域稱為電洞反轉層(inversion layer)，
(a)
(b)
(圖3) 增強型NMOS的動作原理
能形成反轉層所需加上的最小閘極電壓被稱為臨界電壓(threshold
voltage)，以
表示。
增強型NMOS的
為正值，增強型PMOS的
為負值
對增強型NMOS而言，當
時，無法形成反轉層，此元件在截止區，此時
。
當
，增強型NMOS的反轉層形成後，在汲極加上一正電壓(
)，如圖(3b)所示，則反轉層中的電子會由源極經由通道向汲極移動，形成從汲極到源極的電流
。
j當
很小時，整個通道的電子密度約略為定值。
k當汲極電壓增加，則
減少，造成靠近汲極區域的電子密度比靠近源極區域的電子密度小，如圖(3b)所示，所以增量電導也變小，因此
對
的特性曲線之斜率開始變小。
當
且
很小時，
隨
增加而增加，此時增強型NMOS如同一電阻，此區域稱為歐姆區，如圖(4)所示。
l當
，靠近汲極區域的電子密度降為零，增量電導也變為零，因此
對
的特性曲線之斜率也變為零。
當
逐漸增加至
時，即使再增加
，
也不增加而為定值，此區域稱為飽和區，如圖(4)所示。
m當
逐漸增加，
時。電子密度為零的位置會隨
的增加而向源極方向移動。所以電子由源極進入通道，再到達電子密度為零的位置後，就會進入空乏區，而被空乏區的電場掃入汲極區。
(圖4) 增強型NMOS的汲極特性曲線
[例題1]
若增強型NMOS的源極接地，欲使元件正常工作，則應在閘極上加上 (A)正電壓
(B)負電壓
(C)正電壓或負電壓都可以
(D)零電壓
Answer：(A)正電壓
[例題2]
若增強型PMOS的源極接地，欲使元件正常工作，則應在閘極上加上 (A)正電壓
(B)負電壓
(C)正電壓或負電壓都可以
(D)零電壓
Answer：(B)負電壓
[例題3]
下列何者屬於增強型式？
(A)NMOS，
(B) NMOS，
(C)PMOS，
(D)N-channel JFET
Answer：(A)NMOS，
增強型 NMOS的
(汲極電流)
歐姆區：
當 
且
時
導電參數
：電子的移動率
：通道寬度， 
：通道長度
氧化層電容
(矽)氧化層介電常數
：氧化層厚度
飽和區
當 
且 
時
截止區
當 
時
[例題4]
一個增強型NMOS的
，源極接地，閘極4V，判斷下列情況各位於那個工作區？(1)
(2)
Answer：
(1)
，且
所以位於歐姆區
(2)
，且
所以位於飽和區
增強型 PMOS的
歐姆區：
飽和區
